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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 100V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 1.7A, 500mA |
| rds ein (max) @ id, vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| Leistung - max. | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | 9-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 9-BGA (1.35x1.35) |
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