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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 100V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 5A |
rds ein (max) @ id, vgs | - |
vgs(th) (max) @ ID | - |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | - |
Leistung - max. | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | Die |
Lieferantengerätepaket | Die |
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