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Name | Wert |
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Produktstatus | Obsolete |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) | 1200 V |
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) | 750mA |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | 1.74 V @ 750 mA |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Sperrverzögerungszeit (trr) | 0 ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr | 10 µA @ 1200 V |
Kapazität @ vr, f | 66pF @ 1V, 1MHz |
Montageart | Through Hole |
Paket / Koffer | TO-257-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-257 |
Betriebstemperatur - Kontaktstelle | -55°C ~ 250°C |
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