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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) | 1200 V |
| Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) | 8A (DC) |
| Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | 1.6 V @ 2.5 A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Sperrverzögerungszeit (trr) | 0 ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ vr | 10 µA @ 1200 V |
| Kapazität @ vr, f | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Koffer | TO-257-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-257 |
| Betriebstemperatur - Kontaktstelle | -55°C ~ 250°C |
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