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1N8030-GA

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DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

1N8030-GA Technisches Datenblatt

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1N8030-GA Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $181.92000 $181.92
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 750mA
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.39 V @ 750 mA
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 76pF @ 1V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-257-3
Lieferantengerätepaket TO-257
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 250°C
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