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1N8031-GA

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DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

1N8031-GA Technisches Datenblatt

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1N8031-GA Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.5 V @ 1 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 76pF @ 1V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-276AA
Lieferantengerätepaket TO-276
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 250°C
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