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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 600 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | - |
| rds ein (max) @ id, vgs | 25mOhm @ 50A |
| vgs(th) (max) @ ID | - |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs (max) | - |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 769W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-258 |
| Paket / Koffer | TO-258-3, TO-258AA |
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