Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | - |
| rds ein (max) @ id, vgs | 25mOhm @ 50A |
| vgs(th) (max) @ ID | - |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs (max) | - |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 7209 pF @ 800 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 583W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AB |
| Paket / Koffer | TO-247-3 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.