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GB01SLT12-252

GB01SLT12-252

GB01SLT12-252

DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

SOT-23

nicht konform

GB01SLT12-252 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.22691 -
5,000 $1.18147 -
14648 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.8 V @ 1 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 2 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 69pF @ 1V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket TO-252
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

MURA210T3G
MURA210T3G
$0 $/Stück
SK32B-LTP
SK32B-LTP
$0 $/Stück
BAT54B5000
NSD914XV2T1G
NSD914XV2T1G
$0 $/Stück
BAS21W,115
BAS21W,115
$0 $/Stück
RD0506T-TL-H
RD0506T-TL-H
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NRTS15100PFST3G
NRTS15100PFST3G
$0 $/Stück

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