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1002

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N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2

1002 Technisches Datenblatt

compliant

1002 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $10.95000 $10.95
3000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 387 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

DMN6066SSSQ-13
STU6N65M2-S
RFH30N12
RFH30N12
$0 $/Stück
NTMFS4C10NAT1G
NTMFS4C10NAT1G
$0 $/Stück
NVMFWS3D6N10MCLT1G
NVMFWS3D6N10MCLT1G
$0 $/Stück
2SK4100LS
2SK4100LS
$0 $/Stück
SSF10N80A
MSJP11N65A-BP

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