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60N06

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60N06

N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M

60N06 Technisches Datenblatt

nicht konform

60N06 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.78000 $0.78
500 $0.7722 $386.1
1000 $0.7644 $764.4
1500 $0.7566 $1134.9
2000 $0.7488 $1497.6
2500 $0.741 $1852.5
2008 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2050 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SIHF8N50D-E3
SIHF8N50D-E3
$0 $/Stück
NTTD4401FR2
NTTD4401FR2
$0 $/Stück
PMN48XPA,115
NTP75N03R
NTP75N03R
$0 $/Stück
STL42P4LLF6
DMN65D8LFB-7
FQI17N08TU
STD1063T4
STD1063T4
$0 $/Stück
BUK9M9R5-40HX
NTK3043NT1H
NTK3043NT1H
$0 $/Stück

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