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G12P10K

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P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<

G12P10K Technisches Datenblatt

compliant

G12P10K Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.74000 $0.74
500 $0.7326 $366.3
1000 $0.7252 $725.2
1500 $0.7178 $1076.7
2000 $0.7104 $1420.8
2500 $0.703 $1757.5
2468 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1720 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 57W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NVMYS2D4N04CTWG
NVMYS2D4N04CTWG
$0 $/Stück
BUK654R0-75C,127
BUK654R0-75C,127
$0 $/Stück
IXFP26N50P3
IXFP26N50P3
$0 $/Stück
RM70P40LD
RM70P40LD
$0 $/Stück
CSD17552Q5A
CSD17552Q5A
$0 $/Stück
TPH3206PD
TPH3206PD
$0 $/Stück

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