Welcome to ichome.com!

logo
Heim

G30N02T

G30N02T

G30N02T

N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.

G30N02T Technisches Datenblatt

nicht konform

G30N02T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SIR403EDP-T1-GE3
FQPF10N50CF
FQPF10N50CF
$0 $/Stück
SIHL620S-GE3
SIHL620S-GE3
$0 $/Stück
FQAF11N90C
FQAF11N90C
$0 $/Stück
NVB082N65S3F
NVB082N65S3F
$0 $/Stück
NVD5C684NLT4G
NVD5C684NLT4G
$0 $/Stück
BUK7506-55B,127
BUK7506-55B,127
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.