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GC20N65F

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N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

GC20N65F Technisches Datenblatt

compliant

GC20N65F Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.94000 $2.94
500 $2.9106 $1455.3
1000 $2.8812 $2881.2
1500 $2.8518 $4277.7
2000 $2.8224 $5644.8
2500 $2.793 $6982.5
88 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 170mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1724 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 34W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FDI8441
2SK4066-DL-E
2SK4066-DL-E
$0 $/Stück
IRFR220TRLPBF
PBHV9115TLH215
FQP5N30
IXFN120N65X2
IXFN120N65X2
$0 $/Stück
SQJ415EP-T1_BE3
SI2309CDS-T1-BE3
DMN53D0U-13

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