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GT025N06D5

GT025N06D5

GT025N06D5

N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.

GT025N06D5 Technisches Datenblatt

compliant

GT025N06D5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.98000 $1.98
500 $1.9602 $980.1
1000 $1.9404 $1940.4
1500 $1.9206 $2880.9
2000 $1.9008 $3801.6
2500 $1.881 $4702.5
125 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 95A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5950 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 120W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5.2x5.86)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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