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GT088N06T

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N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

GT088N06T Technisches Datenblatt

nicht konform

GT088N06T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.07000 $1.07
500 $1.0593 $529.65
1000 $1.0486 $1048.6
1500 $1.0379 $1556.85
2000 $1.0272 $2054.4
2500 $1.0165 $2541.25
50 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1620 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STD13NM60ND
CSD17306Q5A
CSD17306Q5A
$0 $/Stück
PMZ600UNE315
PMZ600UNE315
$0 $/Stück
MCH6431-P-TL-H
MCH6431-P-TL-H
$0 $/Stück
PMZB1200UPEYL
DMN2400UFB-7
PMXB40UNEZ
PMXB40UNEZ
$0 $/Stück

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