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GT100N12D5

GT100N12D5

GT100N12D5

N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

GT100N12D5 Technisches Datenblatt

nicht konform

GT100N12D5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.64000 $1.64
500 $1.6236 $811.8
1000 $1.6072 $1607.2
1500 $1.5908 $2386.2
2000 $1.5744 $3148.8
2500 $1.558 $3895
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 120 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3050 pF @ 60 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 120W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

RF1S640
RF1S640
$0 $/Stück
DMT10H009LPS-13
FDC796N
2SJ609
2SJ609
$0 $/Stück
IRFR9220PBF-BE3
R8002KND3TL1
DMT40M9LPS-13

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