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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 55 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | - |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.4V @ 100µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| vgs (max) | 10V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 290 pF @ 28 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 50W (Tj) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | 4-Power Tab |
| Paket / Koffer | 4-SIP |
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