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AUIRF7343Q

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AUIRF7343Q

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

AUIRF7343Q Technisches Datenblatt

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AUIRF7343Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.7A, 3.4A
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 740pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI6925ADQ-T1-E3
SI4569DY-T1-GE3
SI6981DQ-T1-E3
SI7842DP-T1-GE3
SI1913DH-T1-E3
SI1903DL-T1-GE3
IRF7309QTRPBF
SI7925DN-T1-E3

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