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BFP640E6327

BFP640E6327

BFP640E6327

RF BIPOLAR TRANSISTOR

BFP640E6327 Technisches Datenblatt

nicht konform

BFP640E6327 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.32000 $0.32
500 $0.3168 $158.4
1000 $0.3136 $313.6
1500 $0.3104 $465.6
2000 $0.3072 $614.4
2500 $0.304 $760
26583 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 4.5V
Frequenz - Übergang 40GHz
Rauschmaß (db typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
gewinnen 24dB
Leistung - max. 200mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 110 @ 30mA, 3V
Strom - Kollektor (ic) (max) 50mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SC-82A, SOT-343
Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4
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