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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 4.7V |
Frequenz - Übergang | 46GHz |
Rauschmaß (db typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
gewinnen | 8B ~ 30.5dB |
Leistung - max. | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 110 @ 30mA, 3V |
Strom - Kollektor (ic) (max) | 50mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 4-SMD, Flat Leads |
Lieferantengerätepaket | 4-TSFP |
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