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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7.5GHz |
| Rauschmaß (db typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz |
| gewinnen | 12.5dB ~ 13.5dB |
| Leistung - max. | 580mW |
| Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 50 @ 30mA, 8V |
| Strom - Kollektor (ic) (max) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | MICRO-X1 |
| Lieferantengerätepaket | MICRO-X1 |
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