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BSB012N03LX3G

BSB012N03LX3G

BSB012N03LX3G

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

BSB012N03LX3G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
5766 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 39A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 169 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 16900 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Koffer 3-WDSON
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Zugehörige Teilenummer

G09P02L
G09P02L
$0 $/Stück
DMN6069SFG-7
BUK9Y7R0-60ELX
NTD4404NT4G
NTD4404NT4G
$0 $/Stück
NVMTS1D6N10MCTXG
NVMTS1D6N10MCTXG
$0 $/Stück
MCM1567-TP
PMPB07R3ENAX
DMTH3004LFG-13
NVTFWS016N06CTAG
NVTFWS016N06CTAG
$0 $/Stück
STL33N60M6
STL33N60M6
$0 $/Stück

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