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BSC009NE2LS5IATMA1

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MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON

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BSC009NE2LS5IATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.94380 -
10,000 $0.92400 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.95mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3200 pF @ 12 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-7
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

FDMF6704A
FDMF6704A
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IRFI830GPBF
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$0 $/Stück
SIHA22N60AE-E3
SQA401CEJW-T1_GE3
IRFR120NTRPBF
STP35N60DM2
FQP17P06
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TPH3212PS
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