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BSC019N04LSTATMA1

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BSC019N04LSTATMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

nicht konform

BSC019N04LSTATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.78871 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Ta), 161A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

SIHP25N60EFL-GE3
NVMTS0D6N04CTXG
NVMTS0D6N04CTXG
$0 $/Stück
CSD17577Q3AT
SIHD3N50D-GE3
APT22F120L
HUFA75652G3
FDMC86160
FDMC86160
$0 $/Stück
BUK6E2R0-30C127
BUK6E2R0-30C127
$0 $/Stück

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