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BSC0910NDIATMA1

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MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

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BSC0910NDIATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.97426 -
9270 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A, 31A
rds ein (max) @ id, vgs 4.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4500pF @ 12V
Leistung - max. 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket PG-TISON-8
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