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BSC252N10NSFGATMA1

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MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON

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BSC252N10NSFGATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.54433 -
10,000 $0.52622 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.2A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 43µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

RF4E110BNTR
STL18N65M2
STL18N65M2
$0 $/Stück
GKI03061
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$0 $/Stück
STP20N95K5
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$0 $/Stück
STH290N4F6-6AG
IRFI644GPBF
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$0 $/Stück
R6507ENJTL
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