Welcome to ichome.com!

logo
Heim

BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

compliant

BSG0810NDIATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $1.12112 -
4100 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A, 39A
rds ein (max) @ id, vgs 3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1040pF @ 12V
Leistung - max. 2.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket PG-TISON-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

UT6JA2TCR
UT6JA2TCR
$0 $/Stück
CCB032M12FM3
CCB032M12FM3
$0 $/Stück
FDS4897C
FDS4897C
$0 $/Stück
SI1024X-T1-GE3
SI4936BDY-T1-E3
DMC1229UFDB-7

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.