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BSG0813NDIATMA1

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MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8

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BSG0813NDIATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $1.01930 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A, 33A
rds ein (max) @ id, vgs 3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100pF @ 12V
Leistung - max. 2.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket PG-TISON-8
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Zugehörige Teilenummer

FDME1024NZT
FDME1024NZT
$0 $/Stück
CSD87381PT
CSD87381PT
$0 $/Stück
DMN2710UDWQ-7
DMG1016UDWQ-7
NTLJD2104PTBG
NTLJD2104PTBG
$0 $/Stück
DMN33D8LDW-13
DMN2028UFDH-7

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