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BSO211P

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P-CHANNEL POWER MOSFET

BSO211P Technisches Datenblatt

nicht konform

BSO211P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
20000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.7A
rds ein (max) @ id, vgs 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 920pF @ 15V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket PG-DSO-8
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Zugehörige Teilenummer

RM2004NE
RM2004NE
$0 $/Stück
DMG4511SK4-13
STL40DN3LLH5
CSD85301Q2T
CSD85301Q2T
$0 $/Stück
DMC2038LVT-7
DMC2053UVT-7
SH8MA2GZETB
CSD75204W15
CSD75204W15
$0 $/Stück

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