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BSO612CV

BSO612CV

BSO612CV

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC

BSO612CV Technisches Datenblatt

compliant

BSO612CV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A, 2A
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 20µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 340pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket PG-DSO-8
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Zugehörige Teilenummer

SI5920DC-T1-E3
IRF8910GTRPBF
BSO200N03
TT8K1TR
TT8K1TR
$0 $/Stück
MCH6601-TL-E
MCH6601-TL-E
$0 $/Stück
VEC2315-TL-H
VEC2315-TL-H
$0 $/Stück

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