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BSO615CT

BSO615CT

BSO615CT

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

BSO615CT Technisches Datenblatt

compliant

BSO615CT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.1A, 2A
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 20µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 380pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket PG-DSO-8
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Zugehörige Teilenummer

SI9926BDY-T1-GE3
SI7530DP-T1-E3
NTMFD4C85NT3G
NTMFD4C85NT3G
$0 $/Stück
SP8J66TB1
SP8J66TB1
$0 $/Stück
DMN3012LDG-7
NVLJD4007NZTBG
NVLJD4007NZTBG
$0 $/Stück
SI7905DN-T1-E3
IRF8852TRPBF

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