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BSO615NGHUMA1

BSO615NGHUMA1

BSO615NGHUMA1

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

compliant

BSO615NGHUMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.44583 -
5,000 $0.42354 -
12,500 $0.40762 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.6A
rds ein (max) @ id, vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 20µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 380pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket PG-DSO-8
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Zugehörige Teilenummer

TPS2013APWR
TPS2013APWR
$0 $/Stück
ECH8660-S-TL-H
ECH8660-S-TL-H
$0 $/Stück
IRF9395MTRPBF
FDS8984-F085
FDS8984-F085
$0 $/Stück
IRF7755GTRPBF
SP8K5TB
SP8K5TB
$0 $/Stück

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