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BSP603S2LNT

BSP603S2LNT

BSP603S2LNT

N-CHANNEL POWER MOSFET

BSP603S2LNT Technisches Datenblatt

nicht konform

BSP603S2LNT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.27000 $0.27
500 $0.2673 $133.65
1000 $0.2646 $264.6
1500 $0.2619 $392.85
2000 $0.2592 $518.4
2500 $0.2565 $641.25
32813 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

FDA20N50F
FDA20N50F
$0 $/Stück
SCT4026DRHRC15
SI1469DH-T1-E3
STP150N10F7
NVMFS5C673NLAFT3G
NVMFS5C673NLAFT3G
$0 $/Stück
IRFF9122
IRFF9122
$0 $/Stück

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