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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Not For New Designs |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 49 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 6.5mOhm @ 36A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2V @ 240µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 232 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 4800 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | Temperature Sensing Diode |
| Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-7-1 |
| Paket / Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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