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BUZ31HXKSA1

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MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3

BUZ31HXKSA1 Technisches Datenblatt

nicht konform

BUZ31HXKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
4554 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1120 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 95W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

DMN2029UVT-7
NTJS4405NT4G
NTJS4405NT4G
$0 $/Stück
STP55NF06
STP55NF06
$0 $/Stück
IRFR210PBF-BE3
DMN6040SFDEQ-7
NTD6414AN-1G
NTD6414AN-1G
$0 $/Stück
IRFF211
IRFF211
$0 $/Stück
STB70NF03LT4
NVMFS5C406NT1G
NVMFS5C406NT1G
$0 $/Stück
IXTA3N120-TRL
IXTA3N120-TRL
$0 $/Stück

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