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IDC51D120T6MX1SA3

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DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

nicht konform

IDC51D120T6MX1SA3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.60000 $7.6
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 100A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 2.05 V @ 100 A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 18 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer Die
Lieferantengerätepaket Sawn on foil
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -40°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

GS1AE-TP
GS1AE-TP
$0 $/Stück
SB260-T
SB260-T
$0 $/Stück
RM 10B
RM 10B
$0 $/Stück
NSR15406NXT5G
NSR15406NXT5G
$0 $/Stück
RU 4C
RU 4C
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FR2M-TP
FR2M-TP
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