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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) | 650 V |
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) | 4A (DC) |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | 1.7 V @ 4 A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Sperrverzögerungszeit (trr) | 0 ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr | 70 µA @ 650 V |
Kapazität @ vr, f | 130pF @ 1V, 1MHz |
Montageart | Through Hole |
Paket / Koffer | TO-220-2 |
Lieferantengerätepaket | PG-TO220-2-1 |
Betriebstemperatur - Kontaktstelle | -55°C ~ 175°C |
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