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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 600 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 15A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | - |
| rds ein (max) @ id, vgs | - |
| vgs(th) (max) @ ID | 1.6V @ 2.6mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs (max) | -10V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 380 pF @ 400 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 114W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-LSON-8-1 |
| Paket / Koffer | 8-LDFN Exposed Pad |
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