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IGP01N120H2

IGP01N120H2

IGP01N120H2

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

IGP01N120H2 Technisches Datenblatt

compliant

IGP01N120H2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
13000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max) 3.2 A
Strom - Kollektor gepulst (icm) 3.5 A
vce(ein) (max) @ vge, ic 2.8V @ 15V, 1A
Leistung - max. 28 W
Schaltenergie 140µJ
Eingabetyp Standard
Torgebühr 8.6 nC
td (ein/aus) bei 25°C 13ns/370ns
Testbedingung 800V, 1A, 241Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-220-3
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1
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Zugehörige Teilenummer

RGT30TM65DGC9
IRG4PC40KPBF
NGD8205ANT4G
NGD8205ANT4G
$0 $/Stück
FGH50N6S2D
FGH50N6S2D
$0 $/Stück
STGF20H60DF
NGTB45N60SWG
NGTB45N60SWG
$0 $/Stück
HGT1S7N60C3DS9A
HGTG7N60A4D

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