Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 600 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 31A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | - |
| rds ein (max) @ id, vgs | - |
| vgs(th) (max) @ ID | 1.6V @ 2.6mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs (max) | -10V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 380 pF @ 400 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-HSOF-8-3 |
| Paket / Koffer | 8-PowerSFN |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.