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IGT60R070D1ATMA4

IGT60R070D1ATMA4

IGT60R070D1ATMA4

GANFET N-CH

compliant

IGT60R070D1ATMA4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $25.43000 $25.43
500 $25.1757 $12587.85
1000 $24.9214 $24921.4
1500 $24.6671 $37000.65
2000 $24.4128 $48825.6
2500 $24.1585 $60396.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 31A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID 1.6V @ 2.6mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 380 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-HSOF-8-3
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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