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IMBG120R140M1HXTMA1

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SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263

compliant

IMBG120R140M1HXTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $12.55000 $12.55
500 $12.4245 $6212.25
1000 $12.299 $12299
1500 $12.1735 $18260.25
2000 $12.048 $24096
2500 $11.9225 $29806.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 189mOhm @ 6A, 18V
vgs(th) (max) @ ID 5.7V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.4 nC @ 18 V
vgs (max) +18V, -15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 491 pF @ 800 V
FET-Funktion Standard
Verlustleistung (max.) 107W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7-12
Paket / Koffer TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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Zugehörige Teilenummer

IXFK64N60P3
IXFK64N60P3
$0 $/Stück
SUP40010EL-GE3
SIHA18N60E-E3
SI7848BDP-T1-E3
IXFX120N20
IXFX120N20
$0 $/Stück
NVHL025N65S3
NVHL025N65S3
$0 $/Stück
PMV22EN,215
PMV22EN,215
$0 $/Stück

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