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IMBG65R083M1HXTMA1

IMBG65R083M1HXTMA1

IMBG65R083M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

compliant

IMBG65R083M1HXTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.93000 $11.93
500 $11.8107 $5905.35
1000 $11.6914 $11691.4
1500 $11.5721 $17358.15
2000 $11.4528 $22905.6
2500 $11.3335 $28333.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

RFP2N20
RFP2N20
$0 $/Stück
DMN2005UFG-7
2SK3813-Z-AZ
2SK3813-Z-AZ
$0 $/Stück
SQJ152ELP-T1_GE3
NTHL060N065SC1
NTHL060N065SC1
$0 $/Stück
SIL05N06A-TP
SIHA690N60E-GE3

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