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IMBG65R107M1HXTMA1

IMBG65R107M1HXTMA1

IMBG65R107M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

compliant

IMBG65R107M1HXTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $10.39000 $10.39
500 $10.2861 $5143.05
1000 $10.1822 $10182.2
1500 $10.0783 $15117.45
2000 $9.9744 $19948.8
2500 $9.8705 $24676.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

SI3401AHE3-TP
DMN4008LFG-13
G7P03L
G7P03L
$0 $/Stück
IXTH58N25L2
IXTH58N25L2
$0 $/Stück
NVMFS4C308NT1G
NVMFS4C308NT1G
$0 $/Stück
PMN15ENEX
PMN15ENEX
$0 $/Stück
SQR97N06-6M3L_GE3
IRFD322
IRFD322
$0 $/Stück

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