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IPA60R165CP

IPA60R165CP

IPA60R165CP

MOSFET N-CH 600V 21A TO220

IPA60R165CP Technisches Datenblatt

nicht konform

IPA60R165CP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.72000 $2.72
500 $2.6928 $1346.4
1000 $2.6656 $2665.6
1500 $2.6384 $3957.6
2000 $2.6112 $5222.4
2500 $2.584 $6460
300 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 165mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 790µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 34W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SI4058DY-T1-GE3
IXTA80N12T2
IXTA80N12T2
$0 $/Stück
FDD6676AS
FDD8896
FDD8896
$0 $/Stück
SI1499DH-T1-GE3
DMPH4013SK3-13
IRF634PBF
IRF634PBF
$0 $/Stück
ZVN0545GTA

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