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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 600 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 600mOhm @ 1.7A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 4V @ 80µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 9 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 363 pF @ 400 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 21W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO220-FP |
Paket / Koffer | TO-220-3 Full Pack |
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