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IPA60R600P7SXKSA1

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MOSFET N-CH 600V 6A TO220

nicht konform

IPA60R600P7SXKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.15000 $1.15
10 $1.03000 $10.3
100 $0.82570 $82.57
500 $0.65254 $326.27
1,000 $0.52661 -
973 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 80µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 363 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 21W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXFY36N20X3
IXFY36N20X3
$0 $/Stück
SI7114ADN-T1-GE3
BUK9Y6R0-60E,115
PMPB25ENEX
PMPB25ENEX
$0 $/Stück
BUK7Y8R7-60EX
BSS123Q-7
BSS123Q-7
$0 $/Stück
BUK7E07-55B,127
BUK7E07-55B,127
$0 $/Stück
EPC2066
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$0 $/Stück

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