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IPA65R1K5CEXKSA1

IPA65R1K5CEXKSA1

IPA65R1K5CEXKSA1

MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220

compliant

IPA65R1K5CEXKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $0.54654 $273.27
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 130µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 225 pF @ 100 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMP2045UQ-13
FDMS10C4D2N
FDMS10C4D2N
$0 $/Stück
HUF76429D3
SQJ486EP-T1_BE3
SUD50N03-06AP-E3
IRFR9310PBF
IRFR9310PBF
$0 $/Stück
IRFD024PBF
IRFD024PBF
$0 $/Stück
IRF730APBF-BE3
PSMN5R0-40MSHX
IXFH18N90P
IXFH18N90P
$0 $/Stück

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