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IPAW60R600P7SXKSA1

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MOSFET N-CH 600V 6A TO220

nicht konform

IPAW60R600P7SXKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.10000 $1.1
10 $0.97600 $9.76
450 $0.67687 $304.5915
900 $0.52260 $470.34
1,350 $0.47223 -
1 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 80µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 363 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 21W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMPH4023SK3Q-13
IXFH320N10T2
IXFH320N10T2
$0 $/Stück
ZXMP10A17E6QTA
NTMJS2D5N06CLTWG
NTMJS2D5N06CLTWG
$0 $/Stück
DMN2300U-7
STD3NK80ZT4
BUK9M85-60EX
SIR880BDP-T1-RE3
SQS141ELNW-T1_GE3
SIJ478DP-T1-GE3

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