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IPB022N04LG

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N-CHANNEL POWER MOSFET

IPB022N04LG Technisches Datenblatt

nicht konform

IPB022N04LG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.83000 $0.83
500 $0.8217 $410.85
1000 $0.8134 $813.4
1500 $0.8051 $1207.65
2000 $0.7968 $1593.6
2500 $0.7885 $1971.25
1840 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

IRFR7540TRPBF
UF3C065080B3
UF3C065080B3
$0 $/Stück
SCT4062KEHRC11
BSN20-7
BSN20-7
$0 $/Stück
STF21N90K5
STF21N90K5
$0 $/Stück
IXFQ28N60P3
IXFQ28N60P3
$0 $/Stück
FDMS86102LZ
FDMS86102LZ
$0 $/Stück

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