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IPB049N08N5ATMA1

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MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK

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IPB049N08N5ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.23437 -
5 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.8V @ 66µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3770 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

APT50M50L2LLG
STW45N65M5
STW45N65M5
$0 $/Stück
NTMFS6H864NLT1G
NTMFS6H864NLT1G
$0 $/Stück
NVD5C454NLT4G
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$0 $/Stück
BSS84K-TP
BSS84K-TP
$0 $/Stück
IRF6712STRPBF

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